5纳米光刻机中国产得出来嘛

光刻机,就是用光线在硅晶圆上刻画出电路图来。所以最核心的分为两方面:一是技术,二是工艺。落实到具体的对象上,就是镜头和激光光源,以此来分析中国在这两项技术上的所需的进程,就能大致了解中国造出5nm的光刻机需要多长时间了。

5纳米光刻机中国产得出来嘛

为何非要5nm这个参数级的光刻机

中国的中芯国际最近向荷兰的ASML成功订购了一台光刻机,但生产最高极限是7nm的芯片,要想突破7nm的这个技术瓶颈,就必须使用EUV(极紫外光源)技术,这所购的这台光刻机不含EUV光源的技术。

不是可以买吗?但买到。因为:

  • EUV(极紫外光源)研究是多个国家参与的(包括美国)。
  • 根据《瓦森纳协定》美国就可以决定不卖给你。

上面说的中芯国际订购的7nm芯片的光刻机,如果美国要使坏,要想成功订购也是不容易的。

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20年前明确的目标,是5nm的EUV光刻机研发的最佳时间

早在1999年,EUV光刻机的地位就已经很明确了,谁有了EUV光刻机的技术,谁就有了芯片领域的未来。1997年的时候,美国的多家企业就发现了EUV技术商业价值,就联合进行了开发,也已明确了目标,这是全世界都不是什么秘密,中国没有进行相应的产业调整和重视。

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研发5nm的EUV光刻机所需的资源

5nm的光刻机,必然要用到EUV技术,美国研发的最早,我们看一下世界范围内关于EUV技术研究和投入的情况:

1、美国

美国对EUV技术的研发时间最长,总共投入了50多个高校和科技企业进入到这个领域,最终在EUV光刻机领域,美国的占领先地位,收益也是最大的。

2、欧洲

对于EUV光刻机看的最重,联合了35个国家,共110多个高校和企业加入到研究的行列中。

3、日本和韩国

投入相对较小,但也有一定的成果

就是说,EUV(紫外光源)的研究是多个国家参与的,包括了美国、欧洲多国还有日本、韩国,美国出力最多,所以不买给中国。

结论:几十个国家,上百所研究单位,花费了20多年的时间,才研发出今天的EUV光刻机,实现了5nm级别制程的芯片。

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到底研究了啥

要生产EUV光刻机,最关键和核心的研究课题有两个:镜头和激光光源

1、镜头

现在世界上高端光刻机使用的是德国的卡尔蔡司光学镜头,世界上没有哪家公司能够复制卡尔蔡司的技术。

从长远观点看,中国也应发展自己的高端镜头产业,但中国与德国的关系还算可以, 不妨先拿来用,一边用一边研究,这样可以减少研发时间。

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2、激光光源

这个核心技术是必须研究的,因为美国把持着《瓦森纳协定》,中国处在被禁运国家之列。就是说只要美国干预,中国将无法获得EUV光刻机。

因为这个EUV技术,美国和欧洲几十个国家(包括日本和韩国)研究了20多年,中国需要用多久呢?心里应该有一个底了吧。

综上所述,中国要研发EUV技术需要投入相当大的资源,当然中国是一个工业部门齐全的大国,集中力量办大事是中国制度的优点,但是,研发需要遵重科学规律,要有一个过程,像欧美日韩都需要近20年时间,那们打个折扣,总需要10年吧。

欢迎讨论,谢谢点评!

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拓展资料:

我国的光刻机5纳米生产技术要多久才能突破?

随着科技不断的发展,全球竞争已经不仅仅在于军事和经济,更多的战火波及到了科技领域,尤其是在美国对华为制裁的事件不断升级的情况下,芯片的关注度也越来越高。最近有很多自媒体人为了追求流量都在传播“5nm光刻技术获得重大突破”的传闻,但是事实是什么呢?我们一起来看一下吧。

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我国科技企业已经实现弯道超车,但是芯片仍是短板

在国家和各行各业的重视下,我国在科技方面尤其在互联网和通信领域实现了完美的弯道超车,但是芯片产业却摆脱不了需要大量进口的处境。

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近年来,我国集成电路发展非常迅速,人工智能、智能制造、汽车电子、物联网、5G等为代表的新兴产业快速崛起,集成电路是我国信息技术发展的核心,但是根据相关媒体报道称,2019年中国集成电路进口数量为4451.34亿个,同比增长6.6%;2018年中国集成电路进口数量为4175.67亿个,同比增长10.8%。在进口金额方面,2019年中国集成电路进口金额为3055.5亿美元,同比下降2.1%。

在华为事件出现之后,越来越多的企业和国人意识到,自研芯片的重要性,芯片实现国产化也迫在眉睫,因此我们现在迫切需要有自主制造芯片的能力。

我国芯片设计已经能自主,但是生产制造仍是短板

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根据很多媒体的报道,我们可以看到华为海思、紫光展锐等科技企业已经能够实现芯片架构的自主设计,但是对于芯片制造领域,我国暂时没有企业可以代替台积电的地位。尽管中芯国际已经可以生产14nm制程工艺,但是这无法和台积电相媲美。因此,如过想彻底摆脱国外的威胁,这条路仍旧是任重道远。

那么我国什么时候才可以突破5nm技术呢

根据媒体在近日的报道,中国权威机构中科院苏州研究所已经研发成功了新型5nm高精度的激光光刻技术,标志着我国的5nm光刻技术取得了重大进展。根据相关报道称,这项技术和ASML的EUV极紫外光刻完全不同。

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很多自媒体人报道称,中国5nm技术突破,比肩ASML指日可待!我不太认同这点,要知道技术从理论到实际商业生产制造,短则需要几年,多的就遥遥无期了。

结语

虽然我国短时间无法到达国际顶尖水平,但是相信在华为等科技企业共同努力下,会大大缩短这个时间!

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